摘要:CMOS图像传感器(CIS)的精度通常由内部单斜模数转换器(SS ADC)的精度决定。斜坡发生器作为单斜ADC的数模转换器(DAC)起到至关重要的作用。传统的片上全局斜坡发生器电路受工艺、电压和温度(PVT)的影响非常大,导致斜坡信号易失真、线性度差等问题;且由于寄生电容的影响,斜坡误差较大,片外校准难度大。本文介绍了一种可以抗PVT变化,实现自适应校准斜率的斜坡发生器,采用逐次逼近算法细调、定步长搜索法微调斜坡斜率,实现对斜坡的两点校正。电路包括电阻型DAC(RDAC)、电流型DAC(IDAC)、逻辑控制、动态比较器等模块。仿真结果表明,自适应斜坡发生器的平均校准周期约为1.143ms,校准后斜坡DNL可达+0.00207/-0.00115 LSB,INL可达+0.6755/-0.3887 LSB,在不同PVT下校准电压误差在1.5个LSB之内,功耗仅为1.155mW,具有精度高、功耗低的优点。