《半导体光电》投稿指南

来稿要求及注意事项:

1.来稿文责自负。文稿务必主题明确,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家机密,引用他人作品应给出来源。

2.普通类型文稿一般不超过8 000 字，综述稿不限。所有稿件应附中英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。

3.摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200～250 字为宜。

4.关键词以5～8 个为宜。为便于文献检索, 应尽可能提供中图分类号。

5.文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。

6. 插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作，勿用截图。本刊自2020年第4期开始改版为彩色印刷，接受彩色图文件。请在投稿时一并提交图文件，分辨率不低于600dpi，框图、流程图等推荐用visio软件绘制。

7.文稿中引用他人的成果,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。

文献的著录格式严格按照以下形式书写（含标点符号）：

1) 专著：作者.书名.版本(第1版不著录)［M］.出版地:出版者,出版年:起止页码.

2) 译著:作者.书名［M］.译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.

3) 期刊:作者.题名［J］.刊名,出版年份,卷(期):起止页码.

4) 会议论文集:作者.题名［C］// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.

5) 学位论文:作者.题名:［学位论文］［D］.保存地:保存者,年份.

6) 专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号［P］.公告日期或公开日期.

7) 标准:责任者.标准代号 标准名称［S］.出版地:出版者,出版年.

8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名：其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.

9) 注意事项

（1）参考文献中的外文作者名、外文刊名的缩写一律不用缩写点。

（2）外文著者一律用姓在名前，采用首字母缩写（中国人用全名不缩写）。姓和名之间不加逗号，名2个以上大写首字母，2名间空一格。文献作者3名以内全部列出，4名以上则列前3人，后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等，应用逗号分开。

（3）外文题名第一个单词首字母大写，其余单词（专有名词除外）均不大写。

（4）外文刊名应按国际标准规定缩写，不加缩写点。

 （5） 为扩大期刊论文的传播范围，提高影响力，即日起，凡文中涉及的中文参考文献，请提供对应外文格式。

8. 来稿请注明作者详细通信地址、邮编、联系电话，以及电子邮箱。投稿后请关注本刊微信公众号，并绑定投稿账号，以便第一时间接收稿件动态信息。

9. 作者在投稿前可通过网站首页上方菜单栏中“不端检测”或右下角友情链接“万方学术不端检测系统”进行论文查重检测（由万方系统收费，作者自愿选择，本编辑部不收取任何费用）。

10.本刊编辑部将在收到稿件两个月之内对来稿做出取舍,如逾期未收到刊用通知,作者有权对稿件另行处理。稿件一经刊用,本刊将酌付稿酬并赠送样刊。
11.来稿一经录用并刊登，其复制权、发行权、信息网络传播权、翻译权、汇编权在全世界范围内转让给《半导体光电》编辑部，编辑部根据需要独家代理申请本文的版权登记事项。如有特殊要求，请务必来电告知。未特别说明者，视为同意本条约定。所有相关费用均包含在本刊支付的稿费中。

                            《半导体光电》编辑部