ZnO缓冲层对Mg0.3Zn0.7O紫外探测器的影响
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

部委预研共性技术项目(201720401017);


Effect of ZnO Buffer Layer on Mg0.3Zn0.7O Ultraviolet Detectors
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    利用溶胶-凝胶法制备了Mg0.3Zn0.7O薄膜,并制作了金属-半导体-金属结构的深紫外探测器。研究了高质量ZnO缓冲层的引入对Mg0.3Zn0.7O薄膜的吸收谱和结晶特性以及Mg0.3Zn0.7O紫外探测器响应参数的影响。实验结果表明:ZnO缓冲层的引入使Mg0.3Zn0.7O薄膜的紫外-可见光吸收谱有轻微的红移,但可以明显提高薄膜的结晶质量,同时ZnO/Mg0.3Zn0.7O探测器的I-V特性表明,ZnO缓冲层的引入可以显著提高器件的光电流,改善其响应特性,在20V偏压下将Mg0.3Zn0.7O探测器的响应度由0.035A/W提高至0.63A/W。

    Abstract:

    Mg0.3Zn0.7O thin films were prepared by solgel method, and deepultraviolet detectors with metalsemiconductormetal structure were fabricated. Effects of high quality ZnO buffer layer on the optical properties of the Mg0.3Zn0.7O films and the IV characteristics of the detectors were investigated. The results show that a slight red shift occurrs in the UVvisible absorption spectrum of Mg0.3Zn0.7O thin film with ZnO buffer layer. However, the introduction of the ZnO buffer layer obviously improves the crystal quality of the film. Furthermore, the IV curves of the ultraviolet detectors exhibit that the photocurrent of the device increases significantly with the ZnO buffer layer. At a bias of 20V, the responsivity of the detector increases from 0.035A/W to 0.63A/W.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2017-11-01
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2018-07-02
  • 出版日期:

漂浮通知

①《半导体光电》新近入编《中文核心期刊要目总览》2023年版(即第10版),这是本刊自1992年以来连续第10次被《中文核心期刊要目总览》收录。
②目前,《半导体光电》已入编四个最新版高质量科技期刊分级目录,它们分别是中国电子学会《电子技术、通信技术领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国图象图形学学会《图像图形领域高质量科技期刊分级目录》(T3)、中国电工技术学会《电气工程领域高质量科技期刊分级目录》(T3)和中国照明学会《照明领域高质量科技期刊分级目录》(T2)。
③关于用户登录弱密码必须强制调整的说明
④《半导体光电》微信公众号“半导体光电期刊”已开通,欢迎关注